Computing

Flash memory는 전기적으로 데이터를 지우고 다시 기록할 수 있는 비휘발성(Non-volatile) 컴퓨터 기억 장치[1]이다. 즉 전원 공급이 중단되더라도 메모리 칩 안에 정보를 유지할 수 있다. 물리적으로 헤더와 암을 움직여 저장된 데이터에 접근하는 하드디스크에 비해 전기 신호에 따라 제어되기에 데이터 접근(검색)이 빠르다. 다만 RAM(DRAM, SRAM)에 비해서는 읽기, 쓰기 속도가 매우 느리다. 오늘 포스터에서는 비휘발성 특징을 가져 데이터 저장장치에 사용되는 Flash memory에 대하여 간략히 정리해보고자 한다. Flash Memory 원리 및 구조 Flash memory 또한 RAM과 비슷하게 cell들의 배열로 이루어지며, 각 cell에 1 또는 0 bit 정보가 저장된다. F..

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Random Access Memory (RAM) DRAM은 Dynamic Random Access Memory이며, SRAM은 Static Random Access Memory으로 둘다 RAM의 한 종류이다. RAM은 어떤 메모리 주소에 접근(random access)하더라도 동일한 시간의 읽고 쓰기가 보장되기에 random access memory[1]라고 한다. 하드디스크와 같은 자기 디스크의 경우 데이터가 저장된 주소에 따라 접근하는 시간이 다르다. 하드디스크는 헤드(head)라는 장치를 이용해 플래터(plater)라는 원판에 데이터를 저장하고 읽어온다. 하드디스크에서는 원하는 주소의 데이터에 접근하기 위해서는 플래터를 회전시켜 해당 주소로 헤드를 옮겨야 접근가능하다. 따라서 헤드의 위치에 따라 메..