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반도체 제품 생산을 위한 공정이전 글에서 반도체 [8대 공정]에 대해서 정리하였다. [8대 공정]은 반도체 제조를 위한 필수 기술들의 리스트이다. 반도체 제조를 위한 실제 공정은 이러한 [8대 공정]들을 조합하여 만들어진다. 반도체 공정을 기술이 아닌, 단계별로 간단하게 정리하자면 다음과 같이 3단계로 나눌 수 있다[1,2,3,4]. 1. 웨이퍼 제조 공정 (Wafer manufacturing)2. 프론트엔드 공정 (Front-end Process) : 반도체 디바이스(소자) 제조 공정 (FEOL, BEOL로 구성됨)3. 백엔드 공정 (Back-end Process) : 패키징 및 테스트 공정 Fig 1. 위 3 단계 제조공정을 그림으로 잘 표현한다. 반도체 제조 회사들은 Fig 1.과 같은 3 단계 제..

이전글- 반도체 선폭과 공정(14nm, 10nm, 7nm 공정의 의미) 반도체 공정과 DRAM 제품 세대 명칭이전 글에서 14nm, 10nm, 7nm 반도체 공정 등에 대해서 정리하였다. 14nm 공정 -> 10nm 공정 -> 7nm 공정 -> 3nm 공정 등 숫자가 작아질수록 선단 공정(최신 공정)을 의미한다. 삼성 파운드리 사업부, TSMC, Intel 파운드리 사업부 등 파운드리 업계에서는 이렇게 숫자를 이용해 반도체 공정의 세대를 표현한다[1]. (7nm 공정, 3nm 공정 1세대, 3nm 공정 2세대 등등) DRAM 반도체 제품도 마찬가지로 제품의 세대가 발전할수록 더 작은 숫자의 공정을 이용한다. 다만 이쪽 업계에서는 단순히 숫자로만 나타내지 않고, 1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c ...

선단 공정과 반도체 선폭 14nm 공정, 10nm 공정, 7nm 공정, 3nm 공정 까지. 반도체 공정은 이렇게 숫자를 이용해서 명칭되며, 숫자가 작아질수록 더 고도화된 선단 공정을 의미한다 (공정이 미세화된다고 함). 현재, 최신 프로세서의 경우 10nm, 7nm가 메인이며 3nm 수준의 공정이 개발 및 3nm 공정을 이용한 양산이 시작되고 있다. 반도체 공정을 설명하는 이 나노미터 숫자는 일반적으로 채널의 길이 (Fig 1. Channel Length) 혹은 회로의 선폭(Fig 2. Metal 배선과 배선과의 최소 거리, half-pitch) 을 의미한다. (후술하겠지만 이제는 일치하지 않는다고 함[3,4]) Fig 1.에서 주황색 화살표(Channel Length)가 줄어들수록 트랜지스터의 크기는 ..

요약 1. 웨이퍼 제조 2. 산화 공정 3. 포토 공정 4. 식각 공정 5. 증착 & 이온 주입 공정 6. 금속배선 공정 7. EDS 공정 8. 패키징 공정 1. 웨이퍼 제조 웨이퍼(Wafer)는 반도체 집적회로가 새겨지는 기판으로 실리콘을 통해 만들어 진다. 실리콘을 녹여서 둥근 기둥 잉곳(Ingot)을 제작하고 이를 얇은 두께로 절단하면, 이것이 웨이퍼 한장이 된다. 절단된 웨이퍼는 매끄럽게 표면 연마 작업을 거쳐 회로가 새겨지는 매끄러운 웨이퍼가 된다. 2. 산화 공정 Oxidation 웨이퍼의 보호막이자 집적회로 사이의 절연막 역할을 하는 산화막(SiO₂)을 웨이퍼 위에 생성하는 공정이다. 식각 공정에서 회로의 모양대로 산화막은 제거되고, 산화막이 제거되어 노출된 웨이퍼 영역에 회로가 새겨진다. ..