일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | 2 | 3 | 4 | |||
5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 |
12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 |
19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 |
26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 |
- stl
- 반도체
- 양자역학의공준
- sycl
- CUDA
- Semiconductor
- HA
- GPU
- 쿠버네티스
- kubernetes
- jhDNN
- DRAM
- flash_memory
- CuDNN
- nvidia
- jhVM
- 클라우드
- quantum_computing
- C++
- cloud
- 딥러닝
- POD
- Qubit
- SpMM
- FPGA
- 반도체기초
- deep_learning
- convolution
- dnn
- Compression
- Today
- Total
목록Semiconductor (27)
Computing
Flash memory는 전기적으로 데이터를 지우고 다시 기록할 수 있는 비휘발성(Non-volatile) 컴퓨터 기억 장치[1]이다. 즉 전원 공급이 중단되더라도 메모리 칩 안에 정보를 유지할 수 있다. 물리적으로 헤더와 암을 움직여 저장된 데이터에 접근하는 하드디스크에 비해 전기 신호에 따라 제어되기에 데이터 접근(검색)이 빠르다. 다만 RAM(DRAM, SRAM)에 비해서는 읽기, 쓰기 속도가 매우 느리다. 오늘 포스터에서는 비휘발성 특징을 가져 데이터 저장장치에 사용되는 Flash memory에 대하여 간략히 정리해보고자 한다. Flash Memory 원리 및 구조 Flash memory 또한 RAM과 비슷하게 cell들의 배열로 이루어지며, 각 cell에 1 또는 0 bit 정보가 저장된다. F..
이전글 2022.03.25 - [Semiconductor/메모리반도체] - RAM 메모리 : DRAM vs SRAM 이전글에서 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 반도체와 비교하여 SRAM(Static Random Access Memory) 반도체의 특성에 대하여 정리하였다. DRAM과 SRAM 모두 RAM(Random Access Memory)으로 임의 위치 데이터 접근 시간이 동일하게 소모된다. 또한 둘다 휘발성 반도체로 DRAM과 SRAM 모두 전원이 연결된 상태에서만 자동한다. 오늘은 DRAM에 비해, 빠르지만 저용량인 캐쉬메모리나 레지스터에 적합한 SRAM에 대하여 정리해보고자 한다. 포스텍 강석형 교수님의 강의 시스템 반도체 설계를 바탕으로 정리하였다. SRAM 구조..
이전 포스터에서 불순물 반도체(P형, N형)의 특성 및 그것들을 활용한 P-N 접합 다이오드(P-N junction diode), 커패시터(capacitor)에 대하여 정리하였다. 이번 포스터에서는 P형, N형 반도체 및 P-N 접합 특성을 활용한 또 다른 소자인 트랜지스터에 대하여 정리하고자 한다. 트랜지스터 Transistor 트랜지스터는 전기 신호를 증폭하거나 스위칭하는 데 사용되는 반도체 소자[1]이다. 특히 컴퓨터와 같은 디지털 전자 장비에서는 매우 필수인 소자로, 주로 전기 신호를 키고 끄는 스위치의 기능으로 많이 사용된다. Fig 1.의 트랜지스터는 NPN 바이폴라트랜지스터의 예시이며, Fig 1.처럼 3가지 불순문 반도체(NPN or PNP 순서)를 이어붙여서 트랜지스터를 만들 수 있다. ..
이전 포스터에서 P형 반도체와 N형 반도체의 특성 및 그것들의 접합하여 만든 P-N 접합 다이오드 (P-N junction diode)에 대하여 정리하였다. 이번 포스터에서는 P형, N형 반도체 및 P-N 접합 특성을 활용한 또 다른 소자인 커패시터에 대하여 정리하고자 한다. 커패시터 Capacitor 커패시터, 축전기는 전기전자회로에서 전기 용량을 전기적 퍼텐셜 에너지로 저장하는 장치[1]로, 쉽게 생각하여 전기를 저장하는 소자이다. Fig 1. 왼쪽 그림은 커패시터를 나타낸 모형도로 두 개의 판(plates) 사이에 유전체(dielectric)을 넣어서 만들어진다. 두 개의 판에 Vc의 전압을 인가할 경우, 유전체에는 Q만큼의 전하량이 저장된다. 커패시터에서 전기가 실제로 저장되는 물질이 바로 유전체..
순수 반도체에 불순물 원자를 첨가(도핑)하여 불순물 반도체 (P형, N형)을 만들 수 있다. 불순물이 첨가된 불순물 반도체는 순수 반도체에 비해 일반적으로 전하를 옮기는 carriers(conduction electron과 hole)을 많이 포함하고 있어, 순수 반도체와는 다른 전기적 특성을 보인다. 이번 포스터에서는 도핑을 통해 전기적 특성을 조절할 수 있는 불순물 반도체를 활용한 소자에 대하여 간단히 정성적으로 정리하고자 한다. 저항기 : N형 반도체와 P형 반도체 불순물 반도체의 경우, 도핑 농도를 조절하여 물질의 저항률(비저항, resistivity)을 조절(이전강의)할 수 있다. N형 반도체의 경우 donor 원소를 도핑하여, 도핑된 donor 원자 1개당 1개의 자유 전자를 가지게 된다. 이렇..
전하 Charge 전하(electric charge)는 전기장 내에서 전기현상을 일으키는 주체적인 원인[1]이다. 물체가 가진 전하의 양을 전하량이라고 한다. 전하의 단위는 C(쿨롬) 혹은 A⋅s로, 1C = 1A⋅s는 1A 전류가 1초동안 이동했을 때 움직인 총 전하의 "양"이다. 전하를 가진 물체는 다른 전하를 가진 물체에 의해 전기력을 받는다. 두 점전하 q1, q2가 있고, 두 점전하가 거리 r만큼 떨어져 있을 때, 두 점전하 사이에 작용하는 전기력의 크기는 쿨롱의 법칙을 따른다. (각 점전하는 q1, q2만큼 전하량을 가지고 있다.) 전자 하나가 가지는 전하량 e = 1.60217 * 10^(-19)이다. 전류 Current와 전류 밀도 Current Density 전류 I는 전하의 흐름으로, ..
이 자료는 KMOOC 신창환 교수님의 강의 [반도 채 몰라도 들을 수 있는 반도체 소자 이야기]를 바탕으로 정리되었습니다. 이전글 2022.05.15 - [Semiconductor/개념] - 반도체 기초 (1) 실리콘 원소와 Charge Carrier 2022.05.19 - [Semiconductor/개념] - 반도체 기초 (2) 실리콘 재료와 에너지 밴드 2022.05.19 - [Semiconductor/개념] - 반도체 기초 (3) Extrinsic Semiconductor (도핑, P형 반도체, N형 반도체) 2022.05.27 - [Semiconductor/개념] - 반도체 기초 (4) Charge Carriers와 Fermi Energy의 관계 2022.06.07 - [Semiconductor/..
이 자료는 KMOOC 신창환 교수님의 강의 [반도 채 몰라도 들을 수 있는 반도체 소자 이야기]를 바탕으로 정리되었습니다. 이전글 2022.05.15 - [Semiconductor/개념] - 반도체 기초 (1) 실리콘 원소와 Charge Carrier 2022.05.19 - [Semiconductor/개념] - 반도체 기초 (2) 실리콘 재료와 에너지 밴드 2022.05.19 - [Semiconductor/개념] - 반도체 기초 (3) Extrinsic Semiconductor (도핑, P형 반도체, N형 반도체) 2022.05.27 - [Semiconductor/개념] - 반도체 기초 (4) Charge Carriers와 Fermi Energy의 관계 지금까지 반도체 내부에서 전하를 이동시키는 char..