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목록반도체 (17)
Computing
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순수 반도체에 불순물 원자를 첨가(도핑)하여 불순물 반도체 (P형, N형)을 만들 수 있다. 불순물이 첨가된 불순물 반도체는 순수 반도체에 비해 일반적으로 전하를 옮기는 carriers(conduction electron과 hole)을 많이 포함하고 있어, 순수 반도체와는 다른 전기적 특성을 보인다. 이번 포스터에서는 도핑을 통해 전기적 특성을 조절할 수 있는 불순물 반도체를 활용한 소자에 대하여 간단히 정성적으로 정리하고자 한다. 저항기 : N형 반도체와 P형 반도체 불순물 반도체의 경우, 도핑 농도를 조절하여 물질의 저항률(비저항, resistivity)을 조절(이전강의)할 수 있다. N형 반도체의 경우 donor 원소를 도핑하여, 도핑된 donor 원자 1개당 1개의 자유 전자를 가지게 된다. 이렇..
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이 자료는 KMOOC 신창환 교수님의 강의 [반도 채 몰라도 들을 수 있는 반도체 소자 이야기]를 바탕으로 정리되었습니다. 이전글 2022.05.15 - [Semiconductor/개념] - 반도체 기초 (1) 실리콘 원소와 Charge Carrier 2022.05.19 - [Semiconductor/개념] - 반도체 기초 (2) 실리콘 재료와 에너지 밴드 2022.05.19 - [Semiconductor/개념] - 반도체 기초 (3) Extrinsic Semiconductor (도핑, P형 반도체, N형 반도체) 2022.05.27 - [Semiconductor/개념] - 반도체 기초 (4) Charge Carriers와 Fermi Energy의 관계 2022.06.07 - [Semiconductor/..
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·이 자료는 KMOOC 신창환 교수님의 강의 [반도 채 몰라도 들을 수 있는 반도체 소자 이야기]를 바탕으로 정리되었습니다. 실리콘 원소의 물성 낮은 resistivity(비저항, 10^(-6) ~ 10^(-5))를 가지는 물체를 도체(Conductor), 높은 resistivity(10^14 ~ 10^18)를 가지는 물체를 부도체(Insulator)라고 한다. 반도체(Semi-conductor)는 중간 정도의 resistivity(10^(-3) ~ 10^4)를 가지는 물체이다. 비저항이 낮을수록 쉽게 전류가 흐른다. 반도체 재료로 사용되는 것으로는 실리콘(Si), Ge(저마늄), C(탄소), GaAs(compound), ClSe(compound) 등이 있다. 이때 실리콘은 대표적인 반도체 재료로 사용되..
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Random Access Memory (RAM) DRAM은 Dynamic Random Access Memory이며, SRAM은 Static Random Access Memory으로 둘다 RAM의 한 종류이다. RAM은 어떤 메모리 주소에 접근(random access)하더라도 동일한 시간의 읽고 쓰기가 보장되기에 random access memory[1]라고 한다. 하드디스크와 같은 자기 디스크의 경우 데이터가 저장된 주소에 따라 접근하는 시간이 다르다. 하드디스크는 헤드(head)라는 장치를 이용해 플래터(plater)라는 원판에 데이터를 저장하고 읽어온다. 하드디스크에서는 원하는 주소의 데이터에 접근하기 위해서는 플래터를 회전시켜 해당 주소로 헤드를 옮겨야 접근가능하다. 따라서 헤드의 위치에 따라 메..